cahtНаучный вестник МГТУ ГАCivil Aviation High Technologies2079-06192542-0119Moscow State Technical University of Civil Aviation (MSTU CA)caht-414Research ArticleСтатьиЭкстракция параметров мощных СВЧ транзисторовEXTRACTION OF ON-BOARD TRM HIGH-POWER MICROWAVE HEMT PARAMETERSМалаховР. Ю.MalakhovR. Yu.noemail@neicon.ruМАИRussian Federation201407112016209136144Copyright © Малахов Р.Ю., 20162016Малахов Р.Ю.Malakhov R.Y.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://avia.mstuca.ru/jour/article/view/414

Описана аналитическая нелинейная модель мощного СВЧ транзистора на основе параллельных резонансных контуров с потерями. Предложен метод экстракции параметров мощных СВЧ транзисторов, не требующий использования оптимизационных алгоритмов. Разработана тестовая плата для измерений мощных СВЧ транзисторов в диапазоне 0,5 - 20 ГГц. Достоверность предложенного метода и нелинейной модели подтверждается полученными экспериментальными данными.

Analytical nonlinear model of high-power microwave HEMT with parallel resonance circuits was designed. Extraction method of high-power HEMT parameters without optimization usage was proposed and described. Test board for high-power HEMT measurement for 0.5 - 20 GHz frequency band was designed. Reliability of the proposed method and nonlinear model is confirmed by experimental data.

экстракциянелинейная модельтестовая платаextractionnonlinear modeltest boardTRMAESAReferencesМалахов Р.Ю., Добычина Е.М. Мощные транзисторы для бортовых радиолокационных систем // Научный Вестник МГТУ ГА. - 2012. - № 12 (186). - С.Малахов Р.Ю., Добычина Е.М. Мощные транзисторы для бортовых радиолокационных систем // Научный Вестник МГТУ ГА. - 2012. - № 12 (186). - С.- 190.- 190.Torres-Rios E., Saavedra C. A new compact nonlinear model improvement methodology for GaN-HEMT, 2014 IEEE 5th Latin American Symposium on Circuits and Systems (LASCAS), Santiago, 2014. Рp. 1 - 4.Torres-Rios E., Saavedra C. A new compact nonlinear model improvement methodology for GaN-HEMT, 2014 IEEE 5th Latin American Symposium on Circuits and Systems (LASCAS), Santiago, 2014. Рp. 1 - 4.Marcoux N.L., Fisher C.J., White D., Lachapelle J., Palacios T., Saadat O., Sonkusale S. A new GaN HEMT nonlinear model for evaluation and design of 1-2 watt power amplifiers, 2012 IEEE 55th International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS), Boise, 2012. Рp.Marcoux N.L., Fisher C.J., White D., Lachapelle J., Palacios T., Saadat O., Sonkusale S. A new GaN HEMT nonlinear model for evaluation and design of 1-2 watt power amplifiers, 2012 IEEE 55th International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS), Boise, 2012. Рp.- 56.- 56.Chang C., Di Giacomo-Brunel V., Floriot D., Grunenputt J., Hosch M., Blanck H. Nonlinear transistor modeling for industrial 0.25-µm AlGaN-GaN HEMTs, 2013 European Microwave Conference (EuMC), Nuremberg, 2013. Рp. 1471 - 1474.Chang C., Di Giacomo-Brunel V., Floriot D., Grunenputt J., Hosch M., Blanck H. Nonlinear transistor modeling for industrial 0.25-µm AlGaN-GaN HEMTs, 2013 European Microwave Conference (EuMC), Nuremberg, 2013. Рp. 1471 - 1474.Dambrine G., Cappy A., Heliodore F., Playez E. A new method for Determining the FET small-signal equivalent circuit, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 36, № 7, 1988. Рp. 1151-1159.Dambrine G., Cappy A., Heliodore F., Playez E. A new method for Determining the FET small-signal equivalent circuit, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 36, № 7, 1988. Рp. 1151-1159.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.